深圳市協(xié)創(chuàng)緣科技有限公司多年來從事深圳LED光電材料加工x406ed9n生產(chǎn)與研發(fā)，在擴散膜打碼的生產(chǎn)和使用上有著豐富的經(jīng)驗。深圳市、寶安區(qū)常年現(xiàn)貨供應四面?zhèn)淠z擴散膜、黑白雙面膠生產(chǎn)，且深圳雙面膠公司產(chǎn)品，市場占有率穩(wěn)居，深受廣大客戶的喜愛！

   產(chǎn)品基本資料： 產(chǎn)品名稱：LED光電材料； 品牌商標：協(xié)創(chuàng)緣； 主營產(chǎn)品行業(yè)：工農(nóng)業(yè)、加工制造、電工電氣產(chǎn)品加工； 公司注冊地址：深圳市寶安區(qū)福永街道鳳凰工業(yè)區(qū)興業(yè)一路50號第四層南； 產(chǎn)品詳情：深圳LED光電材料加工生產(chǎn)的光電材料是指用于制造各種光電設備(主要包括各種主、被動光電傳感器光信息處理和存儲裝置及光通信等)的材料，主要包括紅外材料、激光材料、光纖材料、非線性光學材料等。下面主要介紹一下紅外材料、激光材料及其在軍事領域的應用。紅外探測材料包括硫化鉛、銻化銦、鍺摻雜(金、汞)、碲錫鉛、碲鎘汞、硫酸三甘酞、鉭酸鋰、鍺酸鉛、氧化鎂等一系列材料，銻化銦和碲鎘汞是目前軍用紅外光電系統(tǒng)采用的主要紅外探測材料，特別是碲鎘汞(Hg-Cd-Te)材料，是當前較成熟也是各國側(cè)重研究發(fā)展的主要紅外材料。它可應用于從近紅外、中紅外、到遠紅外很寬的波長范圍，還具有以光電導、光伏特及光磁電等多種工作方式工作的優(yōu)點，但該材料也存在化學穩(wěn)定性差、難于制成大尺寸單晶、大面積均勻性差等缺點，Hg-Cd-Te現(xiàn)已進入薄膜材料研制和應用階段，為了克服該材料上述的缺點，國際上探索了新的技術途徑:(1)用各種薄膜外延技術制備大尺寸晶片，這些技術包括分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)和金屬有機化合物氣相淀積(MOCVD)等。特別是用MOCVD可以制出大面積、組分均勻、表面狀態(tài)好的Hg-Cd-Te薄膜，用于制備大面積焦平面陣列紅外探測器。國外用MOCVD法已制成面積大于5cm2、均勻性良好、Δx=0.2±0.005、工藝重復性好的碲鎘汞單晶薄膜，64×64焦平面器件已用于型號系統(tǒng)、512×512已有樣品。(2)尋找高性能新紅外材料取代Hg-Cd-Te，主要包括:Hg-Mn-Te和Hg-Zn-Te，美國和烏克蘭等國從80年代中就開展了這方面的研究，研究表明，Hg1-xZnxTe和Hg1-xCdxZnyTe的光學特性和碲鎘汞很相似，但較容易獲得大尺寸、低缺陷的單晶，化學穩(wěn)定性也更高。Hg1-xMnxTe是磁性半導體材料，在磁場中的光伏特性與碲鎘汞幾乎相同，但它克服了Hg-Te弱鍵引起的問題。②高溫超導材料，現(xiàn)處于研究開發(fā)階段，已有開發(fā)成功的產(chǎn)品。③Ⅲ-V超晶格量子阱化合物材料，可用于8~14μm遠紅外探測器，如:InAs/GaSb(應變層超晶格)、GaAs/AlGaAs(量子阱結(jié)構)等。④SiGe材料，由于SiGe材料具有許多獨特的物理性質(zhì)和重要的應用價值，又與Si平面工藝相容，因此引起了微電子及光電子產(chǎn)業(yè)的高度重視。SiGe材料通過控制層厚、組分、應變等，可自由調(diào)節(jié)材料的光電性能，開辟了硅材料人工設計和能帶工程的新紀元，形成國際性研究熱潮。Si/GeSi異質(zhì)結(jié)構應用于紅外探測器有如下優(yōu)點:截止波長可在3~30μm較大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，能保證截止波長有利于優(yōu)化響應和探測器的冷卻要求。Si/GeSi材料的缺點在于量子效率很低，目前利用多個SiGe層來解決這一問題

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