晶體管圖示儀 XJ4810 / XJ4810A
產(chǎn)地: 上海
尺寸: 32×22×40cm
重量: 17kg

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XJ4810型/XJ4810A型半導(dǎo)體管特性圖示儀采用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線，并測量其靜態(tài)參數(shù)。本儀器具有二簇曲線顯示，雙向集電極掃描電路，可以對(duì)被測半導(dǎo)體器件的特司長進(jìn)行對(duì)比分析，便于對(duì)管或配件配對(duì)。本儀器IR測量達(dá)200nA/div，配備擴(kuò)展裝置后，VC可達(dá)3KV；可測試CMOS及TTL門電路傳輸特性；可對(duì)場效應(yīng)管進(jìn)行配對(duì)或?qū)軠y試；可測試三端穩(wěn)壓管特性。

集電極掃描信號(hào)

輸出電壓范圍及電流容量 
0～5V 10A（XJ4810A） 0～10V 5A 
0～50V 1A 0～100V 0.5A 
0～500V 0.1A     
基極階梯信號(hào) 
階梯電流 0.2μA/級(jí)～50mA/級(jí)，分17檔(XJ4810) 
  0.2μA/級(jí)～100mA/級(jí)，分18檔(XJ4810A) 
階梯電壓 0.05V級(jí)～1V/級(jí)，分5檔(XJ4810) 
  0.1V級(jí)～2V/級(jí)，分5檔(XJ4810A) 
Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù) 
集電極電流 10μA/div～0.5A/div，分15檔(XJ4810) 
  10μA/div～1A/div，分16檔(XJ4810A) 
二極管電流 0.2μA/div～5μA/div，分5檔 
倍率 ×0.1 
X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù) 
集電極電壓 0.05V/div～50V/div，分10檔 
基極電壓 0.05V/div～1V/div，分5檔 
二族顯示  二簇曲線左右分列顯示并可左右位移 
一般性能 
適應(yīng)電源 AC220V±10% 50Hz±4% 
視在功率 約50VA（非測試狀態(tài)）約80VA(最大功率) 

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XJ4810
XJ-4810型半導(dǎo)體特性圖示儀，是一種用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線，并可測量其靜態(tài)參數(shù)的測試儀器。

1.1 本儀器主要由以下幾個(gè)部分組成：

1.1.1 Y軸放大器及X軸放大器。

1.1.2 階梯信號(hào)發(fā)生器

1.1.3 集電極掃描發(fā)生器

1.1.4 主電源及高壓電源部分

1.2 本儀器是繼JT-1后的開發(fā)產(chǎn)品，它除了繼承JT-1的優(yōu)點(diǎn)外，作了較大改進(jìn)與提 高，它與其他半導(dǎo)體管特性圖示儀相比，具有以下特點(diǎn)：

1.2.1 本儀器采用全晶體管化電路、尺寸小、重量輕。

1.2.2 增設(shè)集電極雙向掃描電路及裝置，能同時(shí)觀察二極管的正反向輸出特性曲線、簡化測試手續(xù)。

1.2.3 配有雙簇曲線顯示電路，對(duì)于中小功率晶體管各種參數(shù)的配對(duì)，尤為方便。

1.2.4 本儀器專為工作于小電流超b晶體管測試作了提高，最小階梯電流可達(dá)0.2μA/級(jí)

1.2.5 本儀器還專為測試二極管的反向漏電流采取了適當(dāng)措施，使測試的IR達(dá)20nA/div。

1.2.6 本儀器配上它的擴(kuò)展裝置—XJ27100場效應(yīng)管配對(duì)測試臺(tái)可對(duì)國內(nèi)外各種場效應(yīng)對(duì)管和單管進(jìn)行比較測試。

1.2.7 本儀器配上它的擴(kuò)展裝置—XJ27101數(shù)字集成電路電壓傳輸特性測試臺(tái)，可測試CMOS，TTL數(shù)字集成電路的電壓傳輸特性。

主要技術(shù)指標(biāo)

2.1 Y軸偏轉(zhuǎn)因數(shù)

集電極電流范圍（Ic）10μA/div-0.5A/div 分15檔，誤差不超過±3%。

二極管反向漏電流（IR）0.2μA/div-5μA/div 分5檔。

2μA/div-5μA/div 誤差不超過±3%。

0.2μA/div、0.5μA/div、1μA/div 誤差分別不超過±20%、±10、±5%

基極電流或基極源電壓 0.05V/div 誤差不超過±3%。

外接輸入 0.05V/div 誤差不超過±3%。

偏轉(zhuǎn)倍率 ×0.1 誤差不超過±（10%+10nA）。

2.2 X軸偏轉(zhuǎn)因數(shù)

集電極電壓范圍 0.05V/div—50V/div 分10檔 誤差不超過±3%。

基